一、静电场的环路定律#

我们根据图示逐步推导静电场的环路定理(即闭合路径上的电场沿路径积分为零)。静电场是由静止电荷分布产生的。对于静电场来说,其电场 E 与电势(V)满足关系:
E=−∇V电势V是标量场,描述了静电场各点的能量。设路径沿 C(如图中的闭合回路),则电场的环路积分可以表示为:
∮CE⋅dl其中dl是路径上的微小位移向量。如图所示,我们考虑沿环路C的积分路径,有两个部分L1和 L2,分别从点 a 到点 b:
- L1:路径沿电场线,从 a 到 b。
- L2:路径逆电场线,从 b 返回到 a。
电场 E 是保守场,也就是说电场的环路积分仅与路径的起点和终点有关。换言之,电场的环路积分与电势差有关:
∫abE⋅dl=V(a)−V(b)
- 在路径 L1 上,从 a 到 b:
∫L1E⋅dl=V(a)−V(b)
- 在路径 L2 上,从 b 返回到 a:
∫L2E⋅dl=V(b)−V(a)
将两个路径积分相加,我们得到沿闭合路径 C 的环路积分:
∮CE⋅dl=∫L1E⋅dl+∫L2E⋅dl于是:
∮CE⋅dl=(V(a)−V(b))+(V(b)−V(a))=0从以上推导可以得到,静电场的环路积分恒为零:
∮CE⋅dl=0.
二、电势的应用#
1、在电偶极子上应用电势#

由于电势是标量,所以计算电势和的运算非常简单。首先根据公式,写出研究点的电势大小:
V(r)=4πε01(r1q−r2q)=4πε0qr1r2r2−r1由于r≫a,则可以做出如下近似:
r1−r2≈2acosθr1r2≈r2化简得:
V(r)=4πε01r22aqcosθ=4πε0r2p⋅r^2、在电四偶极矩上应用电势#

首先写出原始计算公式:
V(r)=i∑Vi(ri)=4πε01(r−dq+r−2q+r+dq)=4πε01r(r2−d2)2qd2=4πε01r3(1−d2/r2)2qd2因为d≪l,ld≪1,则可以化简为:
V(r)=4πε0r32qd2=4πε0r3Q其中Q=2qd2,成为四偶极矩。
3、研究均匀带电球壳的电势#

根据高斯定理:
E=4πε0r2q(r≥R)E=0(r<R)积分,得到对应位置的电势:
-
当r>R时:
V=∫P+∞E⋅dl=4πε0rq
-
当r<R时:
V=∫P+∞E⋅dl=∫PRE⋅dl+∫R+∞E⋅dl=0+4πε0Rq=4πε0Rq
做出对应图像:

4、研究均匀带电圆环的电势#

使用代数积分计算即可,首先写出dq对研究点产生的电势:
dV=4πε0rdq=4πε0rλds积分运算:
V=∫dV=4πε01∮rλds=4πε0z2+R2λ⋅2πR=4πε0z2+R2q5、研究均匀带电圆盘的电势#

将圆环细分为无穷多个均匀带电圆环,利用应用四的方法进行积分:
dq=2πωσdωdV=4πε0z2+ω22πωσdω然后对V积分:
V=∫0R4πε0z2+ω22πω⋅dω⋅σ=2ε0σ(z2+R2−z)特别地,当z≫R时,对根号里面的内容进行变形和泰勒展开,得到:
z2+R2=z1+(zR)2=z(1+21z2R2+...)V(z)=2ε0σ(R2+z2−z)≈2ε0σ(z+2zR2−z)=2ε0σ⋅2zR2=4πε0zσ⋅πR2=4πε0zq也就是说,当距离圆盘足够远时,可以将圆盘看作是点电荷。
6、根据电势计算电场#
已知空间内的电势,可以通过下面公式计算电场:
E=−∇V展开为:
E=−∇V=−∂x∂Vx^−∂y∂Vy^−∂z∂Vz^在球坐标系中,经过变量代换得到:
E=−∇V=−∂r∂Vr^−r1∂θ∂Vθ^−rsinθ1∂ϕ∂Vϕ^
例:
已知电势,可以求出电场,所以可以使用这种方法求出电偶极子在任意位置的产生的电场。
已知电势:
V(r,θ)=4πε01r22aqcosθ
对E进行极坐标系变换:
Er=−∂r∂VEθ=−r1∂θ∂V
代入得:
E=4πε0r32aq((2cosθ)r^+(sinθ)θ^)
注意,这里r是近似之后的结果,忽略了距离a带来的部分效应。比较电偶极子在特殊位置下产生的电场,可以发现二者相同(注意将a近似处理,x2+a2≈r)。
同样地,上面电势的应用中所求的问题,都可以使用该方法求解出电场。
三、等势#
NOTE高中部分的内容不做说明。重要的一点:导体是个等势体,表面是个等势面,导体内部场强处处为0。
四、尖端放电#

上图是两个导体球,中间用一根导线连接,由于导体是个等势体,表面是个等势面,则两球表面的电势相等,有公式:
4πε0rSQS≈4πε0rLQL⇒QLQS≈rLrS根据面电荷密度的计算公式:
σLσS≈(QL/rL2)(QS/rS2)得到:
σLσS=rSrL所以(曲率)半径越小,面电荷密度越大,更容易放电。